Экстракция SPICE параметров и разработка моделей

SPICE параметры компактных и макро- моделей радиоэлектронных компонент являются неотъемлемой частью успешного проектирования электронных схем.

Наша компания имеет многолетний опыт как разработки компактных и макро- моделей электронных компонент, так и экстракции для них SPICE параметров на основе экспериментальных данных, предоставляемых заказчиком.

Модели предназначены для схемотехнического моделирования:

• по постоянному току (.DC, .OP);
• во временной области (.TRAN);
• в линейном режиме (.AC, .NOISE);
• методом Монте-Карло (.MC);
• методом гармонического баланса (.HB);

SPICE параметры могут быть получены в форматах совместимых с программами схемотехнического моделирования ведущих производителей.

Модели для силовой электроники:

• Диоды,
• IGBT, DMOS и другие транзисторы,
• Силовые сборки.

ВАХ и C-V характеристик IGBT транзистора.

Модели для микро- и наноэлектроника:

• МОS транзисторы модели: BSIM3, BSIM4, BSIMSOI, EKV2.6, EKV3, MOS3, PSP, HiSIM HV.
• Биполярные транзисторы: BJT Gummel-Poon, VBIC, HICUM, MEXTRAM.
• Диоды, интегральные варикапы и варакторы.

EKV модель NMOS и PMOS транзисторов.

MEXRAM (NPN) и HICUM (PNP) модели транзисторов.

Возможна доработка уже существующих моделей. Например, с целью расширения температурного диапазона моделирования. Для таких моделей как правило требуется разработка оригинальной процедуры экстракции.

Моделирование IGBT в расширенном температурном диапазоне.

Экстракция SPICE параметров ведется на основе анализа измеренных:

• статических вольтамперных характеристик;
• динамических C-V характеристик;
• шумовых характеристик;
• S-параметров;
• частоты кольцевых генераторов.

S-параметры интегрального варактора.

Нашей компанией выполняется разработка SPICE параметров учитывающих статистические разбросы необходимые для эффективного моделирования аналоговых и цифровых схем.

Корреляционная диаграмма

Если вы заинтересованы в сотрудничестве, свяжитесь с нами: sales@is-eda.ru.